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IGBT耐壓測(cè)試高壓電源點(diǎn)擊次數(shù)：151
發(fā)布時(shí)間：2024-10-24 22:50:01 |
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IGBT耐壓測(cè)試高壓電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
十ms級(jí)的上升沿和下降沿；
單臺(tái)Z大3500V的輸出；
0.1%測(cè)試精度；
同步電流或電壓測(cè)量；
支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試；
應(yīng)用領(lǐng)域：
用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
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